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CSD75211W1723 |
12-UFBGA,DSBGA | Texas Instruments | 电话:0755-83217923 询价QQ: ![]() |
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CSD75211W1723参数 产品类别:分离式半导体产品-FET - 阵列 说明:MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 12DSBGA 包装数量:3000 包装形式:带卷 (TR) PDF资料下载: ![]() FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:4.5A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:40 毫欧 @ 2A,4.5V Id 时的 Vgs(th)(最大):1.1V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:5.9nC @ 4.5V 输入电容 (Ciss) @ Vds:600pF @ 10V 功率 - 最大:1.5W 安装类型:表面贴装 |
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热门型号: 面板至面板 - 面6-146493-7 背板 - 专用0737800134 IGBT - 单路IXBT16N170A 接口 - 模拟开关DG9053DQ-T1-E3 通孔电阻器CFM12JT1M10 Card EdgeRSM06DRAH 薄膜电容器DME4P15K-F 底座安装电阻器1-1879447-6 LED - 分立式LTW-2S3T8 PMIC - 电源RT9701GBL |